参数资料
| 型号： | R5F2135CMNFP#V0 |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 41/57页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MICROCONTROLLER |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | R8C/3x/35M |
| 核心处理器： | R8C |
| 芯体尺寸： | 16-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 连通性： | I²C，LIN，SIO，SSU，UART/USART |
| 外围设备： | POR，PWM，电压检测，WDT |
| 输入/输出数： | 47 |
| 程序存储器容量： | 128KB（128K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 10K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 12x10b; D/A 2x8b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -20°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 52-LQFP |
| 包装： | 托盘 |
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R8C/35M Group
5. Electrical Characteristics
R01DS0021EJ0100 Rev.1.00
Page 46 of 54
Jun 20, 2011
Note:
1.
2.7 V
≤ VCC < 4.2 V and Topr = 20 to 85°C (N version) / 40 to 85°C (D version), f(XIN) = 10 MHz, unless otherwise specified.
Table 5.24
Electrical Characteristics (3) [2.7 V
≤ Vcc < 4.2 V]
Symbol
Parameter
Condition
Standard
Unit
Min.
Typ.
Max.
VOH
Output “H” voltage
Other than XOUT
Drive capacity High IOH =
5 mA
VCC
0.5
VCC
V
Drive capacity Low
IOH =
1 mA
VCC
0.5
VCC
V
XOUT
IOH =
200 A1.0
VCC
V
VOL
Output “L” voltage
Other than XOUT
Drive capacity High IOL = 5 mA
0.5
V
Drive capacity Low
IOL = 1 mA
0.5
V
XOUT
IOL = 200
A
0.5
V
VT+-VT-
Hysteresis
INT0, INT1, INT2,
INT3, INT4,
KI0, KI1, KI2, KI3,
TRAIO, TRCIOA,
TRCIOB, TRCIOC,
TRCIOD, TRDIOA0,
TRDIOB0,
TRDIOC0,
TRDIOD0,
TRDIOA1,
TRDIOB1,
TRDIOC1,
TRDIOD1,
TRCTRG, TRCCLK,
ADTRG,
RXD0, RXD1,
RXD2, CLK0,
CLK1, CLK2, SSI,
SCL, SDA, SSO
VCC = 3.0 V
0.1
0.4
V
RESET
VCC = 3.0 V
0.1
0.5
V
IIH
Input “H” current
VI = 3 V, VCC = 3.0 V
4.0
A
IIL
Input “L” current
VI = 0 V, VCC = 3.0 V
4.0
A
RPULLUP
Pull-up resistance
VI = 0 V, VCC = 3.0 V
42
84
168
k
RfXIN
Feedback resistance XIN
0.3
M
RfXCIN
Feedback resistance XCIN
8
M
VRAM
RAM hold voltage
During stop mode
1.8
V
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| R5F21364CDFP | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:RENESAS MCU |
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