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参数资料
型号： R5F64169DFB
元件分类： 微控制器/微处理器
英文描述： 64-BIT, FLASH, MICROCONTROLLER, PQFP100
封装： 14 X 14 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-100
文件页数： 87/98页
文件大小： 782K
代理商： R5F64169DFB
REJ03B0253-0110
Rev.1.10
Page 88 of 95
Jun 23, 2010
R32C/116 Group
5. Electrical Characteristics
VCC =3.3 V
Switching Characteristics (VCC = 3.0 to 3.6 V, VSS = 0 V, and Ta =Topr, unless otherwise noted)
Note:
1.
The value is calculated by the following formulas based on the base clock cycles (tc(Base)) and
respective cycles of Tsu(A-R), Tw(R), Tsu(A-W), and Tw(W) set by registers EBC0 to EBC3. If the
calculation results in a negative value, modify the value to be set. For the details of how to set values,
refer to the User’s manual.
tsu(S-ALE) = tsu(A-ALE) = (Tsu(A-R) - 0.5) × tc(Base) -15 [ns]
tw(ALE) = (Tsu(A-R) - 0.5) × tc(Base) - 20 [ns]
tw(R) = Tw(R) × tc(Base) -10 [ns]
tw(W) = tsu(D-W) = Tw(W) × tc(Base) -10 [ns]
Table 5.62
External Bus Timing (Multiplexed bus)
Symbol
Characteristic
Measurement
condition
Value
Unit
Min.
Max.
tsu(S-ALE)
Chip-select setup time for ALE
Refer to
Figure 5.6
(1)
ns
th(R-S)
Chip-select hold time after read
1.5 × tc(Base) - 15
ns
tsu(A-ALE)
Address setup time for ALE
(1)
ns
th(ALE-A)
Address hold time after ALE
0.5 × tc(Base) - 5
ns
th(R-A)
Address hold time after read
1.5 × tc(Base) - 15
ns
td(ALE-R)
ALE-read delay time
0.5 × tc(Base) - 5 0.5 × tc(Base) + 10 ns
tw(ALE)
ALE pulse width
(1)
ns
tdis(R-A)
Address disable time after read
8ns
tw(R)
Read pulse width
(1)
ns
th(W-S)
Chip-select hold time after write
1.5 × tc(Base) - 15
ns
th(W-A)
Address hold time after write
1.5 × tc(Base) - 15
ns
td(ALE-W)
ALE-write delay time
0.5 × tc(Base) - 5 0.5 × tc(Base) + 10 ns
tw(W)
Write pulse width
(1)
ns
tsu(D-W)
Data setup time for write
(1)
ns
th(W-D)
Data hold time after write
0.5 × tc(Base)
ns
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R5F64169DFD#UB 功能描述:MCU 32B FLASH 1MB ROM 144-LQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:M16C/R32C/100/116 标准包装:96 系列:PIC® 16F 核心处理器:PIC 芯体尺寸:8-位 速度:20MHz 连通性:I²C，SPI 外围设备:欠压检测/复位，POR，PWM，WDT 输入/输出数:11 程序存储器容量:3.5KB（2K x 14） 程序存储器类型:闪存 EEPROM 大小:- RAM 容量:128 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):2.3 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 8x10b 振荡器型:内部 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） 包装:管件
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