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参数资料
| 型号： | R6020835ESYA |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 606K |
| 描述： | RECTIFIER FST REC 800V 350A DO9 |
| 标准包装： | 8 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 800V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 350A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.5V @ 800A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 2µs |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50mA @ 800V |
| 安装类型： | 底座，接线柱安装 |
| 封装/外壳： | DO-205AB，DO-9，接线柱 |
| 供应商设备封装： | DO-205AB，DO-9 |
| 包装： | 散装 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CS325S-20.500MABJ-UT | CRYSTAL 20.5MHZ 18PF SMD |
| 1N4592R | RECTIFIER STUD 600V 150A DO-8 |
| 1N4592 | RECTIFIER STUD 600V 150A DO-8 |
| 1N3295A | RECTIFIER STUD 1000V 100A DO-8 |
| A180RP | RECTIFIER SIL 1000V 150A DO-8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| R6020ANJ | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:10V Drive Nch MOSFET |
| R6020ANJTL | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 600V 20A 3-PIN(2+TAB) LPTS T/R - Tape and Reel 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS |
| R6020ANX | 功能描述:MOSFET Nch 600V 20A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| R6020ANX_12 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Nch 600V 20A Power MOSFET |
| R6020ANZ | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:10V Drive Nch MOSFET |
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