参数资料
型号: R6020ANX
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 11/14页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM
产品目录绘图: TO-220FM, TO-220FN
特色产品: ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装: 500
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 20A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 220 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2040pF @ 25V
功率 - 最大: 50W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220FM
包装: 散装

R6020ANX
? Electrical characteristic curves
Fig.22 Inverse Diode Forward Current
vs. Source - Drain Voltage
100
V GS = 0V
Pulsed
Data Sheet
Fig.23 Reverse Recovery Time
vs.Inverse Diode Forward Current
1000
10
T a = 125oC
T a = 75oC
T a = 25oC
1
0.1
0.01
T a = -25oC
100
10
T a = 25oC
di / dt = 100A / us
V GS = 0V
Pulsed
0
0.5
1
1.5
0.1
1
10
100
Source - Drain Voltage : V SD [V]
Inverse Diode Forward Current : I S [A]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
11/13
2012.02 - Rev.B
相关PDF资料
PDF描述
R8002ANX MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM
R8008ANX MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM
RCD040N25TL MOSFET N-CH 250V 4A SOT-428
RCD080N25TL MOSFET N-CH 250V 8A SOT-428
RCR-ML-010HT-3 MODULE RCVR REMOTE CTRL HOLTEK
相关代理商/技术参数
参数描述
R6020ANX_12 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Nch 600V 20A Power MOSFET
R6020ANZ 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:10V Drive Nch MOSFET
R6020FNX 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 20A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
R6021022 制造商:POWEREX 制造商全称:Powerex Power Semiconductors 功能描述:Fast Recovery Rectifier (220Amperes Average 1600 Volts)
R6021022PSYA 功能描述:RECTIFIER FST REC 1000V 220A RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879