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参数资料
| 型号： | RB081L-20TE25 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 344K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 20V 5A SOD106 |
| 产品培训模块： | Diodes Overview |
| 产品目录绘图： | Diode SOD-106 |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 20V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 5A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 450mV @ 500mA |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 700µA @ 20V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 供应商设备封装： | PMDS |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1647 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RB081L-20TE25DKR |
           Data Sheet www.rohm.com ? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Shottky barrier diode RB081L-20 ?Applications ?Dimensions (Unit : mm) ?Land size figure (Unit : mm) General rectification ?Features 1) Small power mold type. (PMDS) 2) Low VF, Low IR. 3) High reliability. ?Construction Silicon epitaxial planar ?Structure ?Taping specifications (Unit : mm) ?Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Symbol UnitLimits VRM V VR V Io A5 IFSM A Tj °C125 Tstg °C?40 to ?125 ?Electrical characteristics (Ta=25°C) Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions Forward voltage VF - - 0.45 V IF=5.0A Reverse current IR - - 700 μA VR=20V Storage temperature (*1)Mounted on epoxy board. 180°Half sine wave Parameter Forward current surge peak (60Hz?1cyc) 70 Junction temperature Reverse voltage (DC) 20 Average rectified forward current (*1) Parameter Reverse voltage (repetitive peak) 25 PMDS 2.0 4.2 2.0 4.0±0.1 2.9±0.1 4.0±0.1 2.0±0.05 φ1.55±0.05 5.5±0.05 1.75±0.1 12±0.2 φ1.55 9.5±0.1 0.3 5.3±0.1 0.05 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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