参数资料
型号: RB095B-90TL
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 3/4页
文件大小: 382K
描述: DIODE SCHOTTKY 90V 3A DPAK
产品目录绘图: DPAK
特色产品: Fast Recovery Diodes
标准包装: 1
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 750mV @ 3A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 150µA @ 90V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 3A
电压 - (Vr)(最大): 90V
二极管类型: 肖特基
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: CPD
包装: 标准包装
产品目录页面: 1647 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: RB095B-90TLDKR
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RB095B-90
0
1
2
3
4
5
0 102030405060708090
DC
D=1/2
Sin(?=180)
0
2
4
6
8
10
0246810
DC
D=1/2
Sin(?=180)
0.1
1
10
100
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
Rth(j-a)
Rth(j-c)
1ms
IM=100mA
IF=3A
300us
tim
Mouted on epoxy board
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
TIME : t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
TIME : t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE:Rth (
?
C/W)
FORWARD POWER
DISSIPATION : Pf(W)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT : Io(A)
Io-Pf CHARACTERISTICS
0
5
10
15
0 25 50 75 100 125 150
Sin(?=180)
D=1/2
DC
T
Tj=150VR=45V?C
D=t/T
t
VR
Io
0A
0V
REVERSE POWER
DISSIPATION : P
R
(W)
REVERSE VOLTAGE : VR(V)
VR-PR CHARACTERISTICS
AMBIENT TEMPERATURE:Ta(?C)
DERATING CURVE(Io-Ta)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
CASE TEMPARATURE:Tc(?C)
DERATING CURVE(Io-Tc)
0
5
10
15
0 25 50 75 100 125 150
Sin(?=180)
D=1/2
DC
T
R=45V
Tj=150?C
D=t/T
t
VR
Io
V
0A
0V
0
5
10
15
20
25
30
AVE : 26.70kV
C=100pF
R=1.5k?
C=200pF
R=0?
AVE : 9.60kV
ELECTROSTATIC
DISCHARGE TEST ESD(KV)
ESD DISPERSION MAP
10
100
1000
1 10 100
t
Ifsm
3/3
2011.04 - Rev.F
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PDF描述
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RB095T-40_10 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky barrier diode
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RB095T-60_10 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky barrier diode