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参数资料
| 型号： | RB160L-90TE25 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 346K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 95V 1A PMDS |
| 产品培训模块： | Diodes Overview |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1,500 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 90V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 730mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 90V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 供应商设备封装： | PMDS |
| 包装： | 带卷 (TR) |
              www.rohm.com ? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Data Sheet RB160L-90 0 50 100 150 200 AVE:56.0A 8.3ms Ifsm 1cyc 0 5 10 15 20 25 30 AVE:7.40ns Ta=25℃ IF=0.5A IR=1A Irr=0.25*IR n=10pcs 0 50 100 150 1 10 100 t Ifsm 0.1 1 10 100 1000 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Rth(j-a) Rth(j-c) 1ms IM=10mA IF=0.5A 300us time FORWARD VOLTAGE：VF(mV) VF-IF CHARACTERISTICS FORWARD CURRENT:IF(A) REVERSE CURRENT:IR(uA) REVERSE VOLTAGE：VR(V) VR-IR CHARACTERISTICS CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-Ct CHARACTERISTICS VF DISPERSION MAP FORWARD VOLTAGE:VF(mV) REVERSE CURRENT:IR(uA) IR DISPERSION MAP CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) Ct DISPERSION MAP IFSM DISRESION MAP PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) NUMBER OF CYCLES IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) TIME:t(ms) IFSM-t CHARACTERISTICS TIME:t(s) Rth-t CHARACTERISTICS TRANSIENT THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W) FORWARD POWER DISSIPATION:Pf(W) AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT：Io(A) Io-Pf CHARACTERISTICS trr DISPERSION MAP REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns) Ta=25℃ VR=90VTa=25℃ VR=100V n=30pcs n=30pcs AVE:478.3nA σ:36.1612nA 0.001 0.01 0.1 1 0 100 200 300 400 500 600 700 Ta=-25℃ Ta=125℃ Ta=75℃ Ta=25℃ Ta=150℃ 0.01 0.1 1 10 100 1000 10000 0 102030405060708090 Ta=125℃ Ta=75℃ Ta=25℃ Ta=-25℃ Ta=150℃ 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 AVE:149.6pF Ta=25℃ f=1MHz VR=0V n=10pcs 1 10 100 1000 0 5 10 15 20 25 30 f=1MHz 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 AVE:4.655uA 600 610 620 630 640 650 AVE:632.1mV Ta=25℃ IF=1A n=30pcs 0 50 100 1 10 100 8.3ms 8.3ms Ifsm 1cyc 0 1 2 012 Sin(θ＝180) DC D=1/2 2/3 2011.04 - Rev.A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RB160M-30TR | DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD-123 |
| RB160M-40TR | DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123 |
| RB160M-60TR | DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD123 |
| RB160M-90TR | DIODE SCHOTTKY 90V 1A PMDU |
| RB161M-20TR | DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RB160M-30 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Rectifier Diode, Schottky, 30 Volt, EMD2VAR |
| RB160M-30_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky barrier diode |
| RB160M-30_11 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky barrier diode |
| RB160M-30TR | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 30V 1A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| RB160M-40 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky barrier diode |
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