参数资料
型号: RB160SS-40T2R
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 3/5页
文件大小: 518K
描述: DIODE SCHOTTKY MED PWR KMD2
特色产品: Fast Recovery Diodes
标准包装: 1
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 40V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 550mV @ 700mA
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 50µA @ 40V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 1608
供应商设备封装: 1608(0603)
包装: 标准包装
其它名称: RB160SS-40T2RDKR
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RB160SS-40
 
0
5
10
15
20
25
30
AVE:15.8A
8.3ms
IFSM
1cyc
IFSM
DISPERSION MAP
ITS ABILITY OF PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
0
5
10
15
20
25
30
AVE:8.6ns
Tj=25°C
IF=0.1A
IR=0.1A
Irr=0.10×IR
n=10pcs
trr DISPERSION MAP
REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns)
1
10
100
1
10
100
8.3ms
IFSM
1cyc.
8.3ms
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
1
10
100
1
10
100
time
IFSM
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
TIME:t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
1
10
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Rth(j-a)
Rth(j-c)
On glass-epoxy substrate
soldering land 50mm□
TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
TRANSIENT
THERMAL IMPEDANCE:Rth (
°
C
/W)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
0.5
1
1.5
2
D.C.
D=1/2
Sin(θ=180)
FORWARD POWER
DISSIPATION:Pf(W)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
Io-Pf CHARACTERISTICS
3/4
2011.10
- Rev.A
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