参数资料
型号: RB162VA-20TR
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 2/4页
文件大小: 353K
描述: DIODE SCHOTTKY 25V 1A TUMD2
特色产品: Fast Recovery Diodes
标准包装: 3,000
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 20V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 400mV @ 1A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 1.2mA @ 20V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 2-SMD,扁平引线
供应商设备封装: TUMD2
包装: 带卷 (TR)
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RB162VA-20
 
?Electrical characteristics curves
1
10
100
1000
010200 5 10 15 20
1
10
100
1000
10000
100000
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00.10.20.30.40.5
300
320
340
360
380
400
250
300
350
400
450
160
162
164
166
168
170
172
174
176
178
180
AVE:172pF
Ta=25?C
f=1MHz
VR=0V
n=30pcs
0
5
10
15
20
25
30
110100
8.3ms
Ifsm
1cyc
8.3ms
0
5
10
15
20
25
30
AVE : 7.70ns
Ta=25?C
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25*IR
n=10pcs
0
5
10
15
20
25
30
8.3ms
Ifsm
1cyc
0
5
10
15
20
25
30
1 10 100
t
Ifsm
10
100
1000
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
Rth(j-a)
Rth(j-c)
1ms
IM=10mA
IF=0.1A
300?s
time
On glass-epoxy board
0
0.1
0.2
0.3
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
FORWARD VOLTAGE : VF(V)
VF-IF
CHARACTERISTICS
FORWARD CURRENT : I
F
(A)
REVERSE CURRENT : I
R
(
?
A)
REVERSE VOLTAGE : VR(V)
VR-IR
CHARACTERISTICS
CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS :
Ct(pF)
REVERSE VOLTAGE : VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
VF
DISPERSION MAP
FORWARD VOLTAGE : V
F
(mV)
REVERSE CURRENT : I
R
(
?
A)
IR
DISPERSION MAP
CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS :
Ct(pF)
Ct DISPERSION MAP
IFSM
DISRESION MAP
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT : I
FSM
(A)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT : I
FSM
(A)
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT : I
FSM
(A)
TIME : t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
TIME : t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE : Rth (
?
C/W)
FORWARD POWER
DISSIPATION : Pf(W)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT : Io(A)
Io-Pf CHARACTERISTICS
trr DISPERSION MAP
REVERSE RECOVERY TIME : trr(ns)
f=1MHz
AVE : 371mV
Ta=25?C
VF=1.0A
n=30pcs
Ta=25?C
VR=20V
n=30pcs
AVE : 354?A
AVE : 14.6A
Ta=-25?C
Ta=125?C
Ta=75?C
Ta=25?C
Ta=-25?C
Ta=125?C
Ta=25?C
Ta=75?C
DC
D=1/2
Sin(?=180)
2/3
2011.04 - Rev.A
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