参数资料
型号: RB411DT146
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 2/4页
文件大小: 343K
描述: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOT346
产品培训模块: Diodes Overview
产品目录绘图: Diode SOT-346
特色产品: Fast Recovery Diodes
标准包装: 1
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 20V
电流 - 平均整流 (Io): 500mA
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 500mV @ 500mA
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 30µA @ 10V
电容@ Vr, F: 20pF @ 10V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SMD3
包装: 标准包装
产品目录页面: 1647 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: RB411DT146DKR
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RB411D
0
5
10
15
20
25
30
Ta=25℃
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25*IR
n=10pcs
0
5
10
15
01000.1 1 10 100 1000
t
Ifsm
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
VF-IF CHARACTERISTICS
FORWARD CURRENT:IF(mA)
REVERSE CURRENT:IR(uA)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-IR CHARACTERISTICS
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
VF DISPERSION MAP
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
REVERSE CURRENT:IR(uA)
IR DISPERSION MAP
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Ct DISPERSION MAP
IFSM DISRESION MAP
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
11NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
TIME:t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W)
trr DISPERSION MAP
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
VF DISPERSION MAP
REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns)
0.1
1
10
100
1000
0 100 200 300 400 500
1
10
100
0 1020300 102030
f=1MHz
AVE:405.6mV
σ:3.0258mV
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
AVE:18.35pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
0
5
10
15
20
AVE:5.70A
8.3ms
Ifsm
1cyc
AVE:6.20ns
0
5
10
8.3ms
8.3ms
Ifsm
1cyc
1
10
100
1000
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
Rth(j-a)
Rth(j-c)
1ms
IM=1mA IF=10mA
300us
time
Mounted on epoxy board
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Ta=25℃
VR=10V
n=30pcs
AVE:4.67uA
380
390
400
410
420
430
AVE:402.4mV
Ta=25℃
IF=500mA
n=30pcs
200
210
220
230
240
250
Ta=25℃
IF=10mA
n=30pcs
AVE:218.0mV
Ta=-25℃
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
0.1
1
10
100
1000
10000
Ta=-25℃
Ta=125℃
Ta=25℃
Ta=75℃
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2011.04 - Rev.B
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PDF描述
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