参数资料
型号: RB451FT106
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 3/4页
文件大小: 343K
描述: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA 3UMD
标准包装: 1
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 40V
电流 - 平均整流 (Io): 100mA
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 550mV @ 100mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 30µA @ 10V
电容@ Vr, F: 6pF @ 10V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-70,SOT-323
供应商设备封装: UMD3
包装: 标准包装
其它名称: RB451FT106DKR
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RB451F
FORWARD POWER
DISSIPATION:Pf(W)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
Io-Pf CHARACTERISTICS
REVERSE POWER
DISSIPATION:P
R
(W)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-PR CHARACTERISTICS
AMBIENT TEMPERATURE:Ta(℃)
Derating Curve?(Io-Ta)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
CASE TEMPARATURE:Tc(℃)
Derating Curve?(Io-Tc)
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
00.10.20102030
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0 25 50 75 100 125
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0 25 50 75 100 125
DC
D=1/2
Sin(θ=180)
Sin(θ=180)
DC
D=1/2
Sin(θ=180)
DC
D=1/2
T
Tj=125℃
D=t/TVR=15V
t
VR
Io
0A
0V
T
Tj=125℃
D=t/TVR=15V
t
VR
Io
0A
0V
Sin(θ=180)
DC
D=1/2
3/3
2011.04 - Rev.B
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