参数资料
型号: RB461FT106
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 2/4页
文件大小: 341K
描述: DIODE SCHOTTKY 20V 700MA SOT323
产品培训模块: Diodes Overview
特色产品: Fast Recovery Diodes
标准包装: 3,000
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 20V
电流 - 平均整流 (Io): 700mA
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 490mV @ 700mA
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 200µA @ 20V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-70,SOT-323
供应商设备封装: UMD3
包装: 带卷 (TR)
其它名称: RB461FT106-ND
RB461FT106TR
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RB461F
0
5
10
15
20
25
30
AVE:10.4ns
Ta=25℃
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25*IR
n=10pcs
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
VF-IF CHARACTERISTICS
FORWARD CURRENT:IF(A)
REVERSE CURRENT:IR(uA)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-IR CHARACTERISTICS
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
VF DISPERSION MAP
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
REVERSE CURRENT:IR(uA)
IR DISPERSION MAP
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Ct DISPERSION MAP
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
TIME:t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
0.001 0.1 10 1000TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W)
FORWARD POWER
DISSIPATION:Pf(W)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
Io-Pf CHARACTERISTICS
trr DISPERSION MAP
REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns)
0.001
0.01
0.1
1
0 100 200 300 400 500 600
0.1
1
10
100
1000
10000
100000
10102030
0 5 10 15 20
10
100
f=1MHz
430
440
450
460
470
480
AVE:445.4mV
Ta=25℃
VF=0.7A
n=30pcs
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Ta=25℃
VR=20V
n=30pcs
AVE:12.63uA
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
AVE:79.4pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
0
5
10
15
20
AVE:5.20A
8.3ms
Ifsm
1cyc
0
5
10
1 10 100
8.3ms
8.3ms
Ifsm
1cyc
0
5
10
1 10 100
t
Ifsm
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
00.511.5
1
10
100
1000
Rth(j-a)
Rth(j-c)
1ms
IM=10mA IF=100mA
300us
time
Mounted on epoxy board
Ta=-25℃
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
Ta=125℃
Ta=25℃
Ta=75℃
DC
D=1/2
Sin(θ=180)
IFSM DISPERSION MAP
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2011.04 - Rev.C
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