参数资料
型号: RB481Y-40T2R
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 3/5页
文件大小: 530K
描述: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA EMD4
标准包装: 1
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 450mV @ 100mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 90µA @ 40V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 200mA
电压 - (Vr)(最大): 40V
二极管类型: 肖特基
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管配置: 2 个独立式
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-75-4,EMD4
供应商设备封装: EMD4
包装: 标准包装
其它名称: RB481Y-40T2RDKR
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RB481Y-40
 
0
5
10
15
20
AVE:5.60A
IFSM
DISPERSION MAP
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
8.3ms
IFSM
1cyc
0
5
10
15
20
AVE:6.5ns
Ta=25°C
IF=0.1A
IR=0.1A
Irr=0.1*I
n=10pcsR
trr DISPERSION MAP
REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns)
0
5
10
1
10
100
8.3ms
IFSM
1cyc
8.3ms
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
0
5
10
1
10
100
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
TIME:t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
time
IFSM
10
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Rth(j-a)
Rth(j-c)
TIME:(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
TRANSIENT
THERMAL IMPEDANCE:Rth (
°
C
/W)
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
D.C.
D=1/2
Sin(θ=180)
FORWARD POWER
DISSIPATION:Pf(W)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
Io-Pf
CHARACTERISTICS
3/4
2011.10
- Rev.A
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PDF描述
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