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参数资料
| 型号： | RB521S-30TE61 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD-523 |
| 产品培训模块： | Diodes Overview |
| 产品目录绘图： | Diode SOD-523 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 500mV @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 30µA @ 10V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-79，SOD-523 |
| 供应商设备封装： | EMD2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1647 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RB521S-30TE61DKR |
Data Sheet
Schottky Barrier Diode
RB521S-30
? Applications
General rectification
? Dimensions (Unit : mm)
? Land size figure (Unit : mm)
0.8±0.05
0.12±0.05
0.8
? Features
1)Ultra small mold type. （ EMD2 ）
2)Low V F
3)High reliability
EMD2
? Construction
Silicon epitaxial planar
0.3±0.05
0.6±0.1
? Structure
ROHM : EMD2
JEDEC :SOD-523
JEITA : SC-79
dot (year week factory)
? Taping specifications (Unit : mm)
0.2±0.05
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.5±0.05
φ 1.55 ± 0.05
φ0.5
0.2
0.90 ± 0.05
0.75 ± 0.05
0.95±0.06
0
Empty
空ポケット pocket
4.0±0.1
2.0±0.05
0.76±0.05
? Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current
Forward current surge peak (60Hz ? 1cyc)
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V R
Io
I FSM
Tj
Tstg
Limits
30
200
1
125
-40 to +125
Unit
V
mA
A
°C
°C
? Electrical characteristics (Ta=25°C)
Forward voltage
Reverse current
Parameter
Symbol
V F
I R
Min.
-
-
Typ.
-
-
Max.
0.50
30
Unit
V
μ A
Conditions
I F =200mA
V R =10V
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/3
2011.03 - Rev.F
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VE-23N-CX-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 75W |
| IDT71V67803S133PF | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 100TQFP |
| VE-23M-CX-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 10V 75W |
| PSC75U-560-R-CR1 | ADAPTER DESKTOP CLASS I 72W 56V |
| IDT71V67802S166PF8 | IC SRAM 9MBIT 166MHZ 100TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RB521S-30-TP | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30V 1A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| RB521S-40 | 制造商:SEMTECH_ELEC 制造商全称:SEMTECH ELECTRONICS LTD. 功能描述:SILICON EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| RB521S-40_11 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky barrier diode |
| RB521S-40TE61 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 Schottky Barrier 45V, 200mA RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| RB521SM-30 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky Barrier Diode |
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