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参数资料
| 型号： | RB715WTL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 341K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 40V 30MA SOT-416 |
| 产品培训模块： | Diodes Overview |
| 产品目录绘图： | Diode SOT-416 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 370mV @ 1mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 10V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 30mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 40V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-75，SOT-416 |
| 供应商设备封装： | EMD3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1647 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RB715WTLDKR |
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RB715W
0
5
10
15
20
1 10 100
8.3ms
8.3ms
Ifsm
1cyc
FORWARD VOLTAGE：VF(mV)
VF-IF CHARACTERISTICS
FORWARD CURRENT:IF(mA)
REVERSE CURRENT:IR(uA)
REVERSE VOLTAGE：VR(V)
VR-IR CHARACTERISTICS
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
VF DIPERSION MAP
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
REVERSE CURRENT:IR(nA)
IR DISPERSION MAP
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Ct DISPERSION MAP
IFSM DISPERSION MAP
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
TIME:t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W)
FORWARD POWER
DISSIPATION:Pf(W)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT Io(A)
Io-Pf CHARACTERISTICS
REVERSE POWER
DISSIPATION:P
R
(W)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-PR CHARACTERISTICS
0.01
0.1
1
10
100
0
500 1000 1500
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0 1020300.1
0102030
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
0
5
10
15
20
AVE:7.30A
8.3ms
Ifsm
1cyc
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1 10 100
t
Ifsm
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.00 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05
Per diode
Sin(θ＝180)
D=1/2
DC
0
0.001
0.002
0.003
0102030
Per diode
Sin(θ＝180)
DC
D=1/2
1
10
f=1MHz
250
260
270
280
290
300
AVE:267.4mV
Ta=25℃
IF=1mA
n=30pcs
10
100
1000
10000
0.001 0.1 10 1000
Rth(j-a)
Rth(j-c)
1ms
IM=1mA IF=10mA
300us
time
Mounted on epoxy board
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
AVE:0.083nA
Ta=25℃
VR=10V
n=30pcs
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
AVE:2.02pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
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2011.04 - Rev.C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RB715ZT2L | DIODE SCHOTTKY 40V 30MA VMD3 |
| RB731UT108 | DIODE SCHOTTKY 40V 10MA SOT-457 |
| RB731XNTR | DIODE SCHOTTKY 40V 0.03A UMD6 |
| RB851YT2R | DIODE SCHOTTKY 3V 30MA EMD4 |
| RB861YT2R | DIODE SCHOTTKY 5V 10MA EMD4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| RB715Z | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky barrier diode |
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