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参数资料
| 型号： | RD11SB3-T1 |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 11.33 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | SUPERMINI-2 |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | RD11SB3-T1 |
RD2.0S to RD120S
4
Data Sheet D11444EJ3V0DS00
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25
± 2 °C)
Type Number
Class
Zener Voltage
Dynamic
Reverse Current
Vz (V)Note 1
Impedance Zz (
)Note 2
IR (
A)
MIN.
MAX.
Iz (mA)
MAX.
Iz (mA)
MAX.
VR (V)
RD39S
B
37.00
41.00
2
100
2
30
RD43S
B
40.00
45.00
2
130
2
33
RD47S
B
44.00
49.00
2
150
2
36
RD51S
B
48.00
54.00
2
180
2
1
39
RD56S
B
53.00
60.00
2
180
2
1
43
RD62S
B
58.00
66.00
2
200
2
0.2
47
RD68S
B
64.00
72.00
2
250
2
0.2
52
RD75S
B
70.00
79.00
2
300
2
0.2
57
RD82S
B
77.00
87.00
2
300
2
0.2
63
RD91S
B
85.00
96.00
1
700
1
0.2
69
RD100S
B
94.00
106.0
1
700
1
0.2
76
RD110S
B
104.0
116.0
1
800
1
0.2
84
RD120S
B
114.0
126.0
1
900
1
0.2
91
Note 1. Vz is tested with pulsed (40 ms).
2. Zz is measured at Iz by given a very small A.C. current signal.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RD120SB-T1 | 120 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| RD3.0SB2-T1 | 3.075 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| RD8.2SB-T1 | 8.2 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| RD10SB2-T2 | 9.99 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| RD110SB-T2 | 110 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RD11SL | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:ZENER DIODES |
| RD11SL-T1-A-N2 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| RD11SL-T1-A-N3 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| RD11S-T1-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Diode,Zener,Vz=10.72to11.26V,200mW,SC-76 |
| RD11S-T1-A/B2 | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:10.99V |
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