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参数资料
| 型号： | RD12MB2-T1B |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 12 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | MINIMOLD, SC-59, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 208K |
| 代理商： | RD12MB2-T1B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| RD8.2MB1-T2B | 8.2 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| RD15MWB-T2B | 15 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| RD12MWB-T2B | 12 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| RD12M-T1B-A-B2 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| RD12M-T1B-A-B3 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| RD12MVP1 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz, 10W |
| RD12MVP1_10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz, 10W |
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