参数资料
型号: RF101L4STE25
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 2/4页
文件大小: 157K
描述: DIODE FAST REC 400V 1.0A SOD-106
产品目录绘图: Diode SOD-106
特色产品: Fast Recovery Diodes
标准包装: 1
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 400V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.25V @ 1A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 25ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 10µA @ 400V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: DO-214AC,SMA
供应商设备封装: PMDS
包装: 标准包装
产品目录页面: 1648 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: RF101L4STE25DKR
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RF101L4S
?Electrical characteristics curves
0.1
1
10
100
1000
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
Rth(j-a)
Rth(j-c)
1m
IM=10mA IF=100mA
300u
time
Mounted on epoxy board
0
5
10
15
20
25
30
Ta=25℃
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25*IR
n=10pcs
AVE:18.4ns
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
1
10
100
0 5 10 15 20 25 30REVERSE VOLTAGE:VR(V)
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
VF-IF CHARACTERISTICS
FORWARD CURRENT:IF(A)
REVERSE CURRENT:IR(nA)
0 50 100 150 200 250 300 350 400REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-IR CHARACTERISTICS
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
VR-Ct CHARACTERISTICS
VF DISPERSION MAP
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
REVERSE CURRENT:IR(nA)
IR DISPERSION MAP
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Ct DISPERSION MAP
IFSM DISRESION MAP
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
TIME:t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W)
trr DISPERSION MAP
REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns)
f=1MHz
Ta=25℃
VR=400V
n=30pcs
AVE:24.8nA
FORWARD POWER
DISSIPATION:Pf(W)
0.001
0.01
0.1
1
0 200 400 600 800 1000 1200
Ta=25℃
Ta=-25℃
Ta=75℃
Ta=150℃
Ta=125℃
0.1
1
10
100
1000
10000
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
Ta=150℃
800
900
1000
1100
1200
1300
AVE:1007mV
Ta=25℃
IF=1A
n=30pcs
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
AVE:41.8pF
0
50
100
150
200
AVE:48.0A
8.3ms
Ifsm
1cyc
1
10
100
1000
110100
8.3ms
8.3ms
Ifsm
1cyc
10
100
1000
1 10 100
t
Ifsm
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
00.511.52
Sin(θ=180)
D=1/2
DC
2/3
2011.06 - Rev.B
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