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参数资料
| 型号： | RF2001T3D |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 309K |
| 描述： | DIODE FST REC 300V 10A 3-TO220FN |
| 产品培训模块： | Diodes Overview |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 500 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.3V @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 300V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 10A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 300V |
| 反向恢复时间(trr)： | 25ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FN |
| 包装： | 散装 |
Data Sheet
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Fast recovery diodes
RF2001T3D
?Applications
?Dimensions (Unit : mm) ?Structure
General rectification
?Features
1) Cathode common type.
(TO-220)
2) Ultra Low VF
3) Very fast recovery
4) Low switching loss
?Construction
Silicon epitaxial planar
?Absoslute maximum ratings
(Ta=25
?C)
Parameter LimitsSymbol Unit
Reverse voltage (repetitive peak) 300VRM
V
Reverse voltage (DC) 300VR
V
Average rectified forward current (*1)Io A20
Forward current surge peak (60Hz/1cyc) 100IFSM
A
Junction temperature 150Tj
?C
Storage temoeratureTstg
?55 to ?150
?C
?Electrical characteristic
(Ta=25
?C)
ParameterSymbol Min. Typ. Max. Unit
Conditions
Forward voltageVF
- - 1.3 V
IF=10A
Reverse current
IR
--10μAVR=300V
Reverse recovery time trr - - 25 nsIF=0.5A,IR=1A,Irr=0.25*IR
(*1)Business frequency, Rating of R-load, Tc=113?C
1/2 Io per diode
ROHM : ＴO220FN
①
Manufacture Date
1.2
1.3
0.8
(1) (2) (3)
10.0±0.3
0.1
5.0±0.2
8.0±0.2
12.0±0.2
2.8±0.2
0.1
4.5±0.3
0.1
0.7±0.1
0.05
2.6±0.5
13.5MIN
8.0
15.0±0.4
0.2
①
(1) (2) (3)
1/3
2011.05 - Rev.D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| RF2001T4S_10 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Fast recovery diode |
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