参数资料
型号: RFU5TF6S
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 1/4页
文件大小: 322K
描述: DIODE FAST REC 600V 5.0A TO-220
产品目录绘图: TO-220NFM
特色产品: Fast Recovery Diodes
标准包装: 500
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 600V
电流 - 平均整流 (Io): 5A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 2.8V @ 5A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 25ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 10µA @ 600V
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2 全填充熔芯,ITO-220AC
供应商设备封装: TO-220NFM
包装: 管件
产品目录页面: 1648 (CN2011-ZH PDF)
Data Sheet
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Super Fast Recovery Diode
RFU5TF6S
?Series
?Dimensions(Unit : mm)
?Structure
Ultra Fast Recovery
?Applications
General rectification
?Features
1)Single type.(TO-220)
2)Ultra high switching speed
?Construction
Silicon epitaxial planer
?Absolute maximum ratings(Tc=25?C)
Parameter Conditions Limits UnitSymbol
VRM
Reverse voltage Direct voltage 600 VVR
Average rectified forward current Io
Tj
Tstg
?Electrical characteristics(Tj=25?C)
Parameter Conditions Min. Typ.Symbol
Unit
Forward voltage
VF
V
IR
μA
trr
-15 25
ns
Thermal resistance(*) Rth(j-c)
-- 4?C/W
(*) : Design assurance without measurement.
Storage temperature
?55 to ?150
?C
A
one cycle peak value, Tj=25?C
Junction temperature
150
?C
Forward current surge peak
IFSM
60Hz half sin wave, Non-repetitive
60
60Hz half sin wave, Resistance load,
Tc=93?C
5.0 A
Repetitive peak reverse voltage
Duty?0.5
600 V
junction to case
10
Reverse recovery time (*)
IF=0.5A,IR=1A,Irr=0.25×IR
Reverse current
VR=600V
- 0.02
Max.
IF=5.0A
- 2.2 2.8
(1) (3)
?+0.30.1
+0.4
?
0.2
+0.1?0.05
+0.2?0.1
+0.3?0.1
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2011.06 - Rev.A
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