参数资料
型号: RGF1A
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 1/3页
文件大小: 47K
描述: DIODE GPP FAST 1A 50V DO-214AC
标准包装: 7,500
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 50V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.3V @ 1A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 150ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5µA @ 50V
电容@ Vr, F: 8.5pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: DO-214AC,SMA
供应商设备封装: SMA
包装: 带卷 (TR)
RGF1A-RGF1M
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
RGF1A-RGF1M, Rev. G
RGF1A - RGF1M
Fast Rectifiers
Absolute Maximum Ratings*
TA
= 25°C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Electrical Characteristics
TA
= 25°C unless otherwise noted
Features
?
Glass passivated junction.
?
For surface mounted application.
?
Low forward voltage drop.
?
High current capability.
?
Easy pick and place.
?
High surge current capability.
SMA/DO-214AC
COLOR BAND DENOTES CATHODE
Symbol
Parameter
Device
Units
1A 1B 1D 1G 1J 1K 1M
VF
Forward Voltage @ 1.0 A
1.3 V
trr
Reverse Recovery Time
I
F = 0.5 A, IR = 1.0 A, Irr = 0.25 A
150 250 500 ns
IR
Reverse Current @ rated VR
TA = 25°C
5.0
μA
100
μA
TA = 125°C
Total Capacitance
8.5 pF
CT
V
R = 4.0 V, f = 1.0 MHz
Symbol
Parameter
Value
Units
1A 1B 1D 1G 1J 1K 1M
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage
50 100 200 400 600 800 1000 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current,
@ TL
= 125°C
1.0 A
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge
Current
8.3 ms Single Half-Sine-Wave
30
A
Tstg
Storage Temperature Range -65 to +175
°C
TJ
Operating Junction Temperature -65 to +175
°C
Symbol
Parameter
Value
Units
PD
Power Dissipation 1.76 W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient* 85
°C/W
RθJL
Thermal Resistance, Junction to Lead* 28
°C/W
Thermal Characteristics
*Device mounted on FR-4 PCB 0.013 mm.
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PDF描述
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参数描述
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