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参数资料
| 型号： | RGF1J |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 47K |
| 描述： | DIODE GPP FAST 1A 600V DO-214AC |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.3V @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 250ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 600V |
| 电容@ Vr, F： | 8.5pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 供应商设备封装： | DO-214AC（SMA） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RGF1JFSDKR |
RGF1A-RGF1M
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
RGF1A-RGF1M, Rev. G
RGF1A - RGF1M
Fast Rectifiers
Absolute Maximum Ratings*
TA
= 25°C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Electrical Characteristics
TA
= 25°C unless otherwise noted
Features
?
Glass passivated junction.
?
For surface mounted application.
?
Low forward voltage drop.
?
High current capability.
?
Easy pick and place.
?
High surge current capability.
SMA/DO-214AC
COLOR BAND DENOTES CATHODE
Symbol
Parameter
Device
Units
1A 1B 1D 1G 1J 1K 1M
VF
Forward Voltage @ 1.0 A
1.3 V
trr
Reverse Recovery Time
I
F = 0.5 A, IR = 1.0 A, Irr = 0.25 A
150 250 500 ns
IR
Reverse Current @ rated VR
TA = 25°C
5.0
μA
100
μA
TA = 125°C
Total Capacitance
8.5 pF
CT
V
R = 4.0 V, f = 1.0 MHz
Symbol
Parameter
Value
Units
1A 1B 1D 1G 1J 1K 1M
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage
50 100 200 400 600 800 1000 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current,
@ TL
= 125°C
1.0 A
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge
Current
8.3 ms Single Half-Sine-Wave
30
A
Tstg
Storage Temperature Range -65 to +175
°C
TJ
Operating Junction Temperature -65 to +175
°C
Symbol
Parameter
Value
Units
PD
Power Dissipation 1.76 W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient* 85
°C/W
RθJL
Thermal Resistance, Junction to Lead* 28
°C/W
Thermal Characteristics
*Device mounted on FR-4 PCB 0.013 mm.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P51-15-S-T-M12-4.5V-000-000 | SENSOR 15PSI 7/16-20-2B .5-4.5V |
| P51-50-S-Z-P-4.5OVP-000-000 | SENSOR 50PSI 1/4-18NPT .5-4.5V |
| ES3BB-13-F | RECT SUPER FAST SMD 100V 3A SMB |
| P51-2000-S-W-P-5V-000-000 | SENSOR 2000PSIS 1/8 NPT 5V |
| P51-3000-S-S-M12-4.5V-000-000 | SENSOR 3000PSI 1/4-18NPT .5-4.5V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RGF1J/1- | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1 Amp 600 Volt 250ns 30 Amp IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| RGF1J/17- | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1 Amp 600 Volt 250ns 30 Amp IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| RGF1J/17A | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1 Amp 600 Volt 250ns 30 Amp IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| RGF1J/19- | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1 Amp 600 Volt 250ns 30 Amp IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| RGF1J/19A | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1 Amp 600 Volt 250ns 30 Amp IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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