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参数资料
| 型号： | RGF1M |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 47K |
| 描述： | DIODE GPP FAST 1A 1000V SMA |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.3V @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 500ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 1000V |
| 电容@ Vr, F： | 8.5pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 供应商设备封装： | SMA |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RGF1MDKR |
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
RGF1A-RGF1M, Rev. G
RGF1A-RGF1M
Fast Rectifiers
(continued)
Typical Characteristics
0.010.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
0.1
1
10
20
Forward Voltage, VF
[V]
Forward Current, I
F
[A]
Pulse Width = 300
μμμμs
T = 25 C
A
o
2% Duty Cycle
T = 25 C
A
o
T = 125 C
A
o
012 51020 50100
10
20
30
40
50
Number of Cycles at 60Hz
Peak Forward Surge Current, I
FSM
[A]
112
51020 50100
2
5
10
20
50
Reverse Voltage, VR
[V]
Total Capacitance, C
T
[pF]
0.010 20406080100120140
0.1
1
10
30
Percent of Rated Peak Reverse Voltage [%]
Reverse Current, I
R
[mA]
T = 100 C
A
o
T = 150 C
A
o
0
0 25 50 75 100 125 150 175
0.25
0.5
0.75
1
1.25
Ambient Temperature [oC]
Average Rectified Forward Current, I
F
[A]
RESISTIVE OR
INDUCTIVE LOAD
P. C. B . M O UN TE D
ON 0.2 x 0.2"
(5.0 x 5.0 mm)
COPPER PAD AREAS
Figure 1. Forward Current Derating Curve Figure 2. Non-Repetitive Surge Current
Figure 3. Forward Voltage Characteristics Figure 4. Reverse Current vs Reverse Voltage
Figure 5. Total Capacitance
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RGF1M/1- | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1 Amp 1000Volt 500ns 30 Amp IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| RGF1M/17 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R |
| RGF1M/17- | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1 Amp 1000Volt 500ns 30 Amp IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| RGF1M/17A | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1 Amp 1000Volt 500ns 30 Amp IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| RGF1M/19A | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1 Amp 1000Volt 500ns 30 Amp IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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