| 型号： | RGP10AHE3/73 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 66K |
| 描述： | DIODE GPP 1A 50V 150NS DO-41 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 50V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.3V @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 150ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 50V |
| 电容@ Vr, F： | 15pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-204AL（DO-41） |
| 包装： | 带盒（TB） |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RMM44DRTN-S13 | CONN EDGECARD 88POS .156 EXTEND |
| RBM06DTBN-S189 | CONN EDGECARD 12POS R/A .156 SLD |
| V375C28H75BL2 | CONVERTER MOD DC/DC 28V 75W |
| H7MFH-0910G | CABLE D-SUB-HMP09H/AE09G/HFP09H |
| MPG06MHE3/73 | DIODE 1A 1000V MINI MPG06 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RGP10B | 功能描述:整流器 1A 100V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| RGP10B/1 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0A 100 Volt 150ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| RGP10B/23 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0A 100 Volt 150ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| RGP10B/4 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0A 100 Volt 150ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| RGP10B/54 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0A 100 Volt 150ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |