| 型号： | RGP10B-E3/54 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 66K |
| 描述： | DIODE GPP 1A 100V 150NS DO-41 |
| 标准包装： | 5,500 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.3V @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 150ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 100V |
| 电容@ Vr, F： | 15pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-204AL（DO-41） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 594D105X9050B4T | CAP TANT 1UF 50V 10% 1611 |
| FMC15DRYH-S734 | CONN EDGECARD 30POS DIP .100 SLD |
| ESC49DRAI-S734 | CONN EDGECARD 98POS .100 R/A PCB |
| GMC08DRTS-S13 | CONN EDGECARD 16POS .100 EXTEND |
| TH3C156M020E1000 | CAP TANT 15UF 20V 20% 2312 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RGP10BE-E3/1 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0A 100 Volt 150ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| RGP10BE-E3/14 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0A 100 Volt 150ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| RGP10BE-E3/16 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0A 100 Volt 150ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| RGP10BE-E3/23 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0A 100 Volt 150ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| RGP10BE-E3/3 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0A 100 Volt 150ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |