参数资料
型号: RGP10D-E3/54
厂商: Vishay General Semiconductor
文件页数: 3/3页
文件大小: 66K
描述: DIODE GPP 1A 200V 150NS DO-41
标准包装: 5,500
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 200V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.3V @ 1A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 150ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5µA @ 200V
电容@ Vr, F: 15pF @ 4V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向
供应商设备封装: DO-204AL(DO-41)
包装: 带卷 (TR)
\? RGP10A, RGP10B, RGP10D, RGP10G, RGP10J, RGP10K, RGP10M“’y wwwymhaycomVishay General Semiconductor
10
0.1
instantaneous Forward Current (A)
0 4 0.6 0.8
Instantaneous Forward Voltage (V)
Junctlon Capacltance (pF)
3
Fig. 3 - Typical Instantaneous FonNard Characteristics
100
:1
0.1
instantaneous Reverse Current (HA)
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Fig. 4 - Typical Reverse Characteristics
100
3
Transient Thermal impedance (“C/W)
O0.01
Reverse Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Junction Capacitance
III I|||||I
0.1 1
t- Pulse Duration (S)
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance
PACKAGING ouTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
Nate
- Lead diameter is 0026 (Q66)
Revision: 11-Dec-13D0-204AL (DO-41)3Document N umber: 88700
0.023 (0.58)
71.0 (25 4)
MW.
0.107 (2.7)0.205 (5.2)
W70
0.100 14.1)
1.0 (25 4)
MW.
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
DIA.
for suffix “E" part numbers
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.c0m, Di0desAsia@vishay.com, DiodesEur0pe@Vishay.com
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PDF描述
REC5-1205SRW/H/B/M CONV DC/DC 5W 9-18VIN 05VOUT
T95C107K016HZSL CAP TANT 100UF 16V 10% 2812
T95C106M025EZSL CAP TANT 10UF 25V 20% 2812
FMC15DRYN-S734 CONN EDGECARD 30POS DIP .100 SLD
GEC28DRYH-S13 CONN EDGECARD 56POS .100 EXTEND
相关代理商/技术参数
参数描述
RGP10D-E3-73 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Glass Passivated Junction Fast Switching Rectifier
RGP10DE-E3/1 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 1.0A 200 Volt 150ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
RGP10DE-E3/23 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 1.0A 200 Volt 150ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
RGP10DE-E3/3 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 1.0A 200 Volt 150ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
RGP10DE-E3/4 功能描述:整流器 1.0A 200 Volt 150ns RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel