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参数资料
型号： RGP10JE-E3/54
厂商： Vishay General Semiconductor
文件页数： 1/3页
文件大小： 66K
描述： DIODE GPP 1A 600V 250NS DO-41
标准包装： 5,500
二极管类型： 标准
电压 - (Vr)（最大）： 600V
电流 - 平均整流 (Io)： 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 1.3V @ 1A
速度： 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间(trr)： 250ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 5µA @ 600V
电容@ Vr, F： 15pF @ 4V，1MHz
安装类型： 通孔
封装/外壳： DO-204AL，DO-41，轴向
供应商设备封装： DO-204AL（DO-41）
包装： 带卷 (TR)
\? RGP10A, RGP10B, RGP10D, RGP10G, RGP1 OJ, RGP10K, RGP1oM7 www'ViShay'C°m Vishay General SemiconductorGlass Passivated Junction Fast Switching Plastic Rectifier
FEATURES
0 Superectifier structure for high reliability condition
C '1 -f I - ' 1 d' 1'SUPEREcTIF|ER? - aw y ree or ass passiva en June ion0 Fast switching for high efficiency
4} . Low leakage current ROHS
0 High forward surge capability °°MPL"‘NT
O Solder dip 275 °C max. 10 5, per JESD 22-B106
Do_2o4AL (D°_41) - AEC?Q1o1 qualified
0 Material categorization: For definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912
WPICAL APPLIcATIoNsPRIMARY CHARACTERISTICS For use in fast switching rectification of power supply,
inverters. converters and freewheeling diodes for consumer,
50 VY100 V, 200 V’ 400 V, 600 V, automotive, and telecommunication.800 V, 1000 V
MEcHANIcAL DATAn case: Do—204AL. molded epoxy over glass bodyMolding compound meets UL 94 V-0 flammability rating Base P/N-E3 - RDHS-compliant, commercial gradeTerminals: Matte tin plated leads. soiderabie per
Base P/NHE3 — ROHS-compliant, AEC—Q1 01 quali?ed
. . . . . J-STD?0O2 and JESD22?B102M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test HE3 suffix
meets JESD 201 class 2 whisker test
Polarity: Color band denotes cathode end
MAXIMUM RATmos (TA = 25 so unless otherwise noted)Revision: 11-Dec-13 1 Document Number: 88700
reverse voltage
Maximum average forward rectified
current 0.375" (9.5 r1'Irn)|ead length
at TA : 55 °CPeak fonNard surge current 8.3 ms
single half sine-wave
superimposed on rated loadMaximum full load reverse current,
full cycle average 0.375" (9.5 mm)
lead length TA : 55 “COperating Junction and storage
temperature range
-6510 +175
For technical questions within your region: DiodesArnerioas@vishay.corn, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.eom/doo?91000
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PDF描述
EMM43DRYI CONN EDGECARD 86POS DIP .156 SLD
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GBM12DRKI-S13 CONN EDGECARD 24POS .156 EXTEND
ABM40DTBN CONN EDGECARD 80POS R/A .156 SLD
VI-BNN-EU-F3 CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 200W
相关代理商/技术参数
参数描述
RGP10JEHE3/53 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0A 600 Volt 250ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
RGP10JEHE3/54 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0A 600 Volt 250ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
RGP10JEHE3/66 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0A 600 Volt 250ns 30 Amp IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
RGP10JEHE3/73 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0A 600 Volt 250ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
RGP10JEHE3/91 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0A 600 Volt 250ns 30 Amp IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
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