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参数资料
| 型号： | RGP10M |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 46K |
| 描述： | DIODE GPP FAST 1A 1000V DO-41 |
| 产品变化通告： | Material Composition Change 23/Mar/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.3V @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 500ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 1000V |
| 电容@ Vr, F： | 15pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-204AL（DO-41） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | RGP10MFSCT |
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
RPG10A - RPG10M, Rev.
C
RGP10A-RGP10M
Typical Characteristics
01 2 5 10 20 50 100
5
10
15
20
25
30
Number of Cycles at 60Hz
Peak Forward Surge Current, I
FSM
[A]
0.010.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
0.1
1
10
Forward Voltage, VF
[V]
Forward Current, I
F
[A]
Pulse Width = 300
μμμμs
T = 25 C
A
o
2% Duty Cycle
T = 25 C A
o
11
2
5
10
20
50
100
2
5
10
20
50
100
Reverse Voltage, VR
[V]
Total Capacitance, C
T
[pF]
Pulse
Generator
(Note 2)
50?50?
trr
+0.5A
NONINDUCTIVE
NONINDUCTIVE
DUT
(-)
?(+)
OSCILLOSCOPE
(Note 1)
50
NONINDUCTIVE
50V
(approx)
Reverse Recovery Time Characterstic and Test Circuit Diagram
1.0cm SET TIME BASE FOR
0
-0.25A
-1.0A
5/ 10 ns/ cm
0.010 20406080100120140
0.1
1
10
Percent of Rated Peak Reverse Voltage [%]
Reverse Current, I
R
[mA]
T = 75 C
A
o
T = 125 C
A
o
025 50 75 100 125 150 175
0.25
INDUCTIVE LOAD
0.5
SINGLE PHASE
0.75
1
LeadTemperature [oC]
Average Rectified Forward Current, I
F
[A]
HALF WAVE
60HZ
RESISTIVE OR
.375" (9.0mm) LEAD
LENGTHS
Figure 1. Forward Current Derating Curve Figure 2. Non-Repetitive Surge Current
Figure 3. Forward Voltage Characteristics Figure 4. Reverse Current vs Reverse Voltage
Figure 5. Total Capacitance
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RGP25MHE3/54 | DIODE 2.5A 1000V 500NS DO-201AD |
| RHRD660S9A_F085 | DIODE HYPERFAST 600V 6A DPAK |
| RHRD660S9A_NL | DIODE HYPERFAST 600V 6A DPAK |
| RHRG30120 | DIODE HYPER 1200V 30A TO247 |
| RHRG3060 | DIODE HYPER 600V 30A TO247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RGP10M/1 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0A 1000 Volt 500ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| RGP10M/23 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0A 1000 Volt 500ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| RGP10M/3 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0A 1000 Volt 500ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| RGP10M/4 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0A 1000 Volt 500ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| RGP10M/54 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0A 1000 Volt 500ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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