参数资料
型号: RGP10ME-E3/54
厂商: Vishay General Semiconductor
文件页数: 3/3页
文件大小: 66K
描述: DIODE GPP 1A 1000V 500NS DO-41
标准包装: 5,500
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 1000V(1kV)
电流 - 平均整流 (Io): 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.3V @ 1A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 500ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5µA @ 1000V
电容@ Vr, F: 15pF @ 4V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向
供应商设备封装: DO-204AL(DO-41)
包装: 带卷 (TR)
\? RGP10A, RGP10B, RGP10D, RGP10G, RGP10J, RGP10K, RGP10M“’y wwwymhaycomVishay General Semiconductor
10
0.1
instantaneous Forward Current (A)
0 4 0.6 0.8
Instantaneous Forward Voltage (V)
Junctlon Capacltance (pF)
3
Fig. 3 - Typical Instantaneous FonNard Characteristics
100
:1
0.1
instantaneous Reverse Current (HA)
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Fig. 4 - Typical Reverse Characteristics
100
3
Transient Thermal impedance (“C/W)
O0.01
Reverse Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Junction Capacitance
III I|||||I
0.1 1
t- Pulse Duration (S)
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance
PACKAGING ouTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
Nate
- Lead diameter is 0026 (Q66)
Revision: 11-Dec-13D0-204AL (DO-41)3Document N umber: 88700
0.023 (0.58)
71.0 (25 4)
MW.
0.107 (2.7)0.205 (5.2)
W70
0.100 14.1)
1.0 (25 4)
MW.
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
DIA.
for suffix “E" part numbers
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.c0m, Di0desAsia@vishay.com, DiodesEur0pe@Vishay.com
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PDF描述
ISL6521CBZ IC REG QD BCK/LINEAR SYNC 16SOIC
EEC18DRTN-S13 CONN EDGECARD 36POS .100 EXTEND
RMA44DRST-S288 CONN EDGECARD 88POS .125 EXTEND
591D686X06R3R2T15H CAP TANT 68UF 6.3V 20% 2824
USB-EA-CONVZ SUPPORT BOARD ADUC8XX
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参数描述
RGP10MEHE3/54 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 1.0A 1000 Volt 500ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
RGP10MEHE3/73 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 1.0A 1000 Volt 500ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
RGP10MEHE3/91 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 1.0A 1000 Volt 500ns 30 Amp IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
RGP10MHE3/53 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 1.0A 1000 Volt 500ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
RGP10MHE3/54 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 1.0A 1000 Volt 500ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube