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参数资料
| 型号： | RGP10ME |
| 厂商： | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 887K |
| 代理商： | RGP10ME |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RGP30M | Fast silicon rectifier diodes |
| RGP30K | Fast silicon rectifier diodes |
| RGSEC901-R-W-B-D | ROCKER SWITCH, DPST, LATCHED, PANEL MOUNT |
| RGSED901-R-B-B-D | ROCKER SWITCH, DPDT, LATCHED, PANEL MOUNT |
| RGSCA900-R-B-B-0 | ROCKER SWITCH, SPST, LATCHED, PANEL MOUNT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RGP10M-E | 制造商:GULFSEMI 制造商全称:Gulf Semiconductor 功能描述:SINTERED GLASS JUNCTION FAST SWITCHING PLASTIC RECTIFIER VOLTAGE: 1000V CURRENT: 1.0A |
| RGP10ME/1 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0A 1000 Volt 500ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| RGP10ME/23 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0A 1000 Volt 500ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| RGP10ME/41 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0A 1000 Volt 500ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| RGP10ME/54 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0A 1000 Volt 500ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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