| 型号： | RGP10MEHE3/73 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 66K |
| 描述： | DIODE GPP 1A 1000V 500NS DO-41 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.3V @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 500ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 1000V |
| 电容@ Vr, F： | 15pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-204AL（DO-41） |
| 包装： | 带盒（TB） |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RGP10M | DIODE GPP FAST 1A 1000V DO-41 |
| RGP25MHE3/54 | DIODE 2.5A 1000V 500NS DO-201AD |
| RHRD660S9A_F085 | DIODE HYPERFAST 600V 6A DPAK |
| RHRD660S9A_NL | DIODE HYPERFAST 600V 6A DPAK |
| RHRG30120 | DIODE HYPER 1200V 30A TO247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RGP10MHE3/53 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0A 1000 Volt 500ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| RGP10MHE3/54 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0A 1000 Volt 500ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| RGP10MHE3/73 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0A 1000 Volt 500ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| RGP10MPKG.4 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:DIODE FAST RECOVERY 1A |
| RGP10MT | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Fast Recovery Rectifiers |