参数资料
型号: RHRD660S9A_NL
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 4/5页
文件大小: 547K
描述: DIODE HYPERFAST 600V 6A DPAK
标准包装: 2,500
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 600V
电流 - 平均整流 (Io): 6A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 2.1V @ 6A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 35ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100µA @ 600V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 带卷 (TR)
?2011
Fairchild Semiconductor Corporation
RHRD660S9A_F085 Rev.C2
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 8. trr
TEST CIRCUIT
FIGURE 9. trr
WA
VEFORMS AND DEFINITIONS
FIGURE 10. AVALANCHE ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 11. AVALANCHE CURRENT AND VOLTAGE
WAVEFORMS
RG
L
-VDD
IGBT
CURRENT
SENSE
DUT
VGE
t1
t2
VGE
AMPLITUDE A
ND
t1 AND t2 CONTROL IF
RG
CONTROL dI
F/dt
+
dt
dIF
IF
trr
ta
tb
0
IRM
0.25 IRM
DUT
CURRENT
SENSE
+
LR
VDD
R < 0.1?
EAVL
= 1/2LI2
[V
R(AVL)/(VR(AVL)
- V
DD)]
Q1 = IGBT (BVCES
> DUT V
R(AVL))
-
VDD
Q1
IMAX
= 1A
L = 20mH
IV
t0
t1
t2
IL
VAVL
t
IL
RHRD660S9A_F085
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PDF描述
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