参数资料
型号: RHRG30120
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 3/5页
文件大小: 1805K
描述: DIODE HYPER 1200V 30A TO247
产品变化通告: Lead Frame Change 20/Dec/2007
标准包装: 150
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 1200V(1.2kV)
电流 - 平均整流 (Io): 30A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 3.2V @ 30A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 85ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 250µA @ 1200V
安装类型: 通孔,径向
封装/外壳: TO-247-2
供应商设备封装: TO-247
包装: 管件
产品目录页面: 1611 (CN2011-ZH PDF)
IF,
FORWARD
CURRENT
(A)
FIGURE
3.
Trr,ta
AND
tb
CURVES
vs
FORWARD
CURRENT
FIGURE 4. CURRENT DERATING CURVE
Typical Performance Curves
(Continued)
100
75
50
25
0
1
t, TIME (ns)
10
30
Trr
ta
tb
40
30
20
10
0
25 50 75 100 125 150 175
TC, CASE TEMPERATURE (oC)
I
F(AV)
, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
SQ. WAVE
DC
Test Circuits and Waveforms
FIGURE
5.
Trr
TEST
CIRCUIT
IRM
FIGURE
6.
Trr
WAVEFORMS
AND
DEFINITIONS
FIGURE 7. AVALANCHE ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 8. AVALANCHE CURRENT AND VOLTAGE
WAVEFORMS
RG
L
V
-
DD
IGBT
CURRENT
SENSE
DUT
VGE
t1
t2
VGE
AMPLITUDE AND
t1 AND
t2
CONTROL IF
RG
CONTROL dIF/dt
+
dt
dIF
IF
Trr
ta
tb
0
0.25 IRM
DUT
CURRENT
SENSE
+
LR
VDD
R<0.1?2
[VR(AVL)/(VR(AVL)
-VDD)]
VAVL
EAVL
=1/2LI
Q1
=IGBT(BVCES
> DUT VR(AVL))
-
VDD
Q1
IMAX
= 1.225A
L=40mH
IV
t0
t1
t2
IL
t
IL
RHRG30120
www.fairchildsemi.com
3
?2001
Fairchild
S
emiconductor Corporation
RHRG30120
Rev. C1
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