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参数资料
| 型号： | RHRP860 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 365K |
| 描述： | DIODE HYPER 600V 8A TO-220AC |
| 标准包装： | 400 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 8A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.1V @ 8A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 600V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 |
| 供应商设备封装： | TO-220AC |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1611 (CN2011-ZH PDF) |
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
RHRP840, RHRP860 Rev. B
RHRP840, RHRP860
8A, 400V - 600V Hyperfast Diodes
The RHRP840 and RHRP860 are hyperfast diodes with soft
recovery characteristics (trr
< 30ns). They have half the
recovery time of ultrafast diodes and are silicon nitride
passivated ion-implanted epitaxial planar construction.
These devices are intended for use as
freewheeling/clamping diodes and recti?ers in a variety of
switching power supplies and other power switching
applications. Their low stored charge and hyperfast soft
recovery minimize ringing and electrical noise in many
power switching circuits reducing power loss in the switching
transistors.
Formerly developmental type TA49059.
Symbol
Features
? Hyperfast with Soft Recovery. . . . . . . . . . . . . . . . . . <30ns
? Operating Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175oC
? Reverse Voltage Up To. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
? Avalanche Energy Rated
? Planar Construction
Applications
? Switching Power Supplies
? Power Switching Circuits
? General Purpose
Packaging
JEDEC TO-220AC
Ordering Information
PART NUMBER PACKAGE BRAND
RHRP840 TO-220AC RHRP840
RHRP860 TO-220AC RHRP860
NOTE: When ordering, use the entire part number.
K
A
ANODE
CATHODE
CATHODE
(FLANGE)
Absolute Maximum Ratings
TC
= 25
oC, Unless Otherwise Speci?ed
RHRP840 RHRP860 UNITS
Peak Repetitive Reverse Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .VRRM
400 600 V
Working Peak Reverse Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .VRWM
400 600 V
DC Blocking Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . V
R
400 600 V
Average Recti?ed Forward Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . IF(AV)
(TC
= 150
oC)
88A
Repetitive Peak Surge Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . I
FRM
(Square Wave, 20kHz)
16 16 A
Nonrepetitive Peak Surge Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
.I
FSM
(Halfwave, 1 Phase, 60Hz)
100 100 A
Maximum Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . P
D
75 75 W
Avalanche Energy (See Figures 10 and 11) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .EAVL
20 20 mJ
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . TSTG, TJ
-65 to 175 -65 to 175
oC
Data Sheet January 2002
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| RHRP860_F102 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:PWR MOSFET RECT 600V 8A TRR<35(LEADFREE) |
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