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参数资料
| 型号： | RJK6014DPK |
| 厂商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道场效应晶体管高速电源开关 |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 111K |
| 代理商： | RJK6014DPK |
RJK6014DPK
REJ03G1517-0200 Rev.2.00 Jun 04, 2007
Page 5 of 6
tr
td(on)
Vin
90%
90%
10%
10%
Vout
td(off)
90%
10%
tf
Switching Time Test Circuit
Waveform
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10
μ
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
Pulse Width PW (s)
N
γ
s
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Vin Monitor
D.U.T.
Vin
10 V
R
L
V
DD
= 300 V
Vout
Monitor
10
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1sho puse
Tc = 25
°
C
P
DM
PW
T
D =T
θ
ch – c (t) =
γ
s (t)
θ
ch – c
θ
ch – c = 0.833
°
C/W, Tc = 25
°
C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RJK6014DPK-00-T0 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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