参数资料
型号: RMW280N03TB
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 1/7页
文件大小: 0K
描述: MOSF N CH 30V 28A PSOP8
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 28A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.8 毫欧 @ 28A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3130pF @ 15V
功率 - 最大: 3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商设备封装: 8-PSOP
包装: 标准包装
其它名称: RMW280N03TBDKR
Data Sheet
4.5V Drive Nch MOSFET
RMW280N03
? Structure
Silicon N-channel MOSFET
? Dimensions (Unit : mm)
PSOP8
(8)
(7)
(6)
(5)
? Features
1) High Power package(PSOP8).
0~0.1
2) High-speed switching,Low On-resistance.
1pin mark
(1) (2)
(3)
(4)
3) Low voltage drive(4.5V drive).
1.27
5.0
0.4
0.9
0.22
? Application
Switching
? Packaging specifications
? Inner circuit
Type
Package
Code
Taping
TB
(8)
(7)
(6)
(5)
Basic ordering unit (pieces)
2500
RMW280N03
?
(1)
(2)
(3)
(4)
Source
Source
Source
Gate
? 2
? Absolute maximum ratings (Ta = 25 ? C)
(5)
(6)
Drain
Drain
? 1
Parameter
Symbol
Limits
Unit
(7)
(8)
Drain
Drain
(1)
(2)
(3)
(4)
Drain-source voltage
Gate-source voltage
V DSS
V GSS
30
? 20
V
V
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
Drain current
Source current
Continuous
Pulsed
Continuous
I D
I DP *1
I S
? 28
? 112
2.5
A
A
A
(Body Diode)
Power dissipation
Pulsed
I SP
P D
*1
*2
112
3.0
A
W
Channel temperature
Range of storage temperature
Tch
Tstg
150
? 55 to ? 150
? C
? C
*1 Pw ? 10 ? s, Duty cycle ? 1%
*2 MOUNTED ON 40mm × 40mm Cu BOARD
? Thermal resistance
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Channel to Ambient
Rth
(ch-a) *
41.7
? C / W
* MOUNTED ON 40mm × 40mm Cu BOARD
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2011.03 - Rev.A
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