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参数资料
| 型号： | RN1318 |
| 厂商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
| 中文描述： | 东芝npn型晶体管硅外延型（厘进程） |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 271K |
| 代理商： | RN1318 |
RN1314 RN1318
2001-06-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1314,RN1315,RN1316
RN1317,RN1318
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Complementary to RN2314~RN2318
Equivalent Circuit and Bias Resister Values
Maximum Ratings
(Ta = 25 C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage
RN1314~1318
V
CEO
50
V
RN1314
5
RN1315
6
RN1316
7
RN1317
15
Emitter-base voltage
RN1318
V
EBO
25
V
Collector current
I
C
100
mA
Collector power dissipation
P
C
100
mW
Junction temperature
T
j
150
C
Storage temperature range
RN1314~1318
T
stg
55~150
C
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 0.006g
―
SC-70
2-2E1A
Unit: mm
Type No.
R1 (k
)
R2 (k
)
RN1314
1
10
RN1315
2.2
10
RN1316
4.7
10
RN1317
10
4.7
RN1318
47
10
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