参数资料
型号: RN142GT2R
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 2/3页
文件大小: 107K
描述: PIN DIODE 60V 100MA VMD2
标准包装: 8,000
二极管类型: PIN - 单
电压 - 峰值反向(最大): 60V
电流 - 最大: 100mA
电容@ Vr, F: 0.45pF @ 1V,1MHz
电阻@ Vr, F: 2 欧姆 @ 10mA,100MHz
封装/外壳: 2-SMD,扁平引线
供应商设备封装: VMD2
包装: 带卷 (TR)
其它名称: Q2094951
RN142GT2R-ND
RN142GT2RTR
RN142G
Diodes
Rev.A 2/2
』Electrical characteristic curves (Ta=25°C)
A)
T:IF(m
RREN
CU
ARD
FORW
FORWARD VOLTAGE:VF(V)
VF-IF CHARACTERISTICS
ERATING
OP
ARD
FORW
F
REVERSE CURRENT:IR(nA)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-IR CHARACTERISTICS
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
VF DISPERSION MAP
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
REVERSE CURRENT:IR(nA)
IR DISPERSION MAP
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Ct DISPERSION MAP
ELECTROSTATIC
DI
SCHARGE TEST ESD(KV)
ESD DISPERSION MAP
FORWARD CURRENT:IF(mA)
rf-IF CHARACTERISTICS
RESISTANCE:rf(Ω)
FORWARD CURRENT:IF(mA)
rf DISPERSION MAP
ORWARD OPERATING
RESISTANCE:rf(Ω)
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
10
100FREQUENCY(MHz)
Ct-f CHARACTERISTICS
FORWARD CURRENT:IF(mA)
rf DISPERSION MAP
FORWARD OPERATING
RESISTANCE:rf(Ω)
0.1
1
10
100
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2
Ta=-25℃
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=150℃
0.01
0.1
1
10
100
1000
0 1020304050607080
Ta=25℃
Ta=-25℃
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=150℃
0.01
0.1
1
10
0 102030
f=1MHz
0.1
1
10
100
0.1
1
10
f=10MHz
f=1MHz
f=100MHz
0.1
1
1
1000
Ta=25℃
VR=0V
800
810
820
830
840
850
AVE:828.3mV
Ta=25℃
IF=10mA
n=30pcs
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Ta=25℃
VR=60V
n=30pcs
AVE:0.4448nA
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
AVE:0.364pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=1V
n=10pcs
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2
AVE:1.206Ω
Ta=25℃
f=100MHz
IF=3mA
n=10pcs
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
AVE:0.639Ω
Ta=25℃
f=100MHz
IF=10mA
n=10pcs
0
1
2
3
4
5
AVE:0.71kV
AVE:2.01kV
C=100pF
R=1.5kΩ
C=200pF
R=0Ω
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