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参数资料
| 型号： | RN2211 |
| 厂商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) |
| 中文描述： | 东芝晶体硅外延式进步党（厘进程） |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 159K |
| 代理商： | RN2211 |
RN2210,RN2211
2001-06-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
RN2210,RN2211
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
l With built-in bias resistors
l Simplify circuit design
l Reduce a quantity of parts and manufacturing process
l Complementary to RN1210, 1211
Equivalent Circuit
Maximum Ratings (Ta = 25
°°°°C)
Characterisstic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
50
V
Collector-emitter voltage
VCEO
50
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
100
mA
Collector power dissipation
PC
300
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55~150
°C
JEDEC
―
EIAJ
―
TOSHIBA
2-4E1A
Weight: 0.13g
Unit: mm
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PDF描述 |
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