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参数资料
| 型号： | RPI-129BN |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 62K |
| 描述： | PHOTOINTERRUPTER ULTRAMIN HI RES |
| 产品培训模块： | OptoSensors Overview |
| 标准包装： | 4,000 |
| 输出配置： | 光电晶体管 |
| 电流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 30mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 响应时间： | 10µs |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 开槽模块 |
| 包装： | 管件 |
| 类型： | 无放大 |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 其它名称： | 846-1019 RPI-129B |
RPI-129B
Photointerrupter, Ultraminiature DIP type
Applications
DSC(Digital steal camera)
DVC(Digital video camera)
Digital handy phone
Features
1) Ultraminiature DIP type.
2) Gap 1.2mm.
Absolute maximum ratings (Ta=25癈)
Electrical and optical characteristics (Ta=25癈)
Electrical and optical characteristics curves
Fig.1 Relative output current vs.
distance ( )
DISTANCE : d (mm)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
R
Fig.4 Relative output current vs.
distance ( )
Fig.2 Forward current falloff
20
0
20
40
60
80
100
10
50
40
30
20
0
AMBIENT TEMPERATURE : Ta (癈)
Fig.6 Relative output vs. ambient
temperature
AMBIENT TEMPERATURE : Ta (癈)
25
0
25
50
75
100
100
80
60
40
20
0
VCE=5V
IF=20mA
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
0.5
1.0
1.5
2.0
DISTANCE : d (mm)
Fig.3 Forward current vs. forward
voltage
FORWARD VOLTAGE : VF (V)
0
10
20
30
40
50
0.4
0.2
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
75癈
50癈
25癈
0癈
25癈
Fig.5 Power dissipation / collector power
dissipation vs. ambient temperature
AMBIENT TEMPERATURE : Ta (癈)
20
0
40
60
80
20
100
0
20
40
60
80
100
120
PD PC
Parameter
Cut-off frequency
Non-coherent Infrared light emitting diode used.
Peak light emitting wavelength
A
B
Rise time
Fall time
Symbol
VF
IR
ICEO
?SPAN class="pst RPI-129BN_2587274_7">P
?SPAN class="pst RPI-129BN_2587274_7">P
IC
fC
IC
VCE(sat)
tr
tf
Min.
0.95
0.45
0.95
Typ.
1.3
800
10
Max.
1.6
10
0.5
4.95
2.33
4.95
0.4
Unit
V
IF=50mA
IF=50mA
VR=5V
VCE=10V
VCE=5V, IF=20mA
IF=20mA, IC=0.1mA
VCC=5V, IF=20mA, RL=100&
VCE=5V, IF=20mA
礎
礎
nm
mA
mA
V
祍
10
祍
1
MHz
950
nm
Conditions
Maximum sensitivity wavelength
?SPAN class="pst RPI-129BN_2587274_7">P
800
nm
This product is not designed to be protected against electromagnetic wave.
VCC=5V, IC=1mA, RL=100&
tr tf
Response time
10
祍
Forward voltage
Reverse current
Dark current
Peak sensitivity wavelength
Collector current
Collector-emitter saturation voltage
Response time
Parameter
Symbol
IC
VCEO
PD
VR
IF
PC
VECO
Topr
Tstg
Limits
25 to +85
30 to +85
50
5
80
30
4.5
30
80
Unit
mA
V
mW
V
V
mA
mW
癈
癈
Forward current
Reverse voltage
Power dissipation
Collector-emitter voltage
Emitter-collector voltage
Collector current
Collector power dissipation
Operating temperature
Storage temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RPI-130 | SENSOR OPTO SLOT 1.2X0.3 MM THD |
| RPI-131 | SENSR OPTO SLOT 1.2MM TRANS THRU |
| RPI-221 | SENSR OPTO SLOT 2.3MM TRANS THRU |
| RPI-222 | SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS THRU |
| RPI-243 | SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS THRU |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RPI-130 | 功能描述:光学开关（透射型，光电晶体管输出） Ultramin, High Res Photointerrupter RoHS:否 制造商:Omron Electronics 输出设备:Phototransistor 槽宽:3.4 mm 光圈宽度:0.5 mm 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V 最大集电极电流:20 mA 正向电流: 安装风格:Through Hole 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 封装: |
| RPI-131 | 功能描述:光学开关（透射型，光电晶体管输出） 0.40mm slit width 0.7mA min., 5V RoHS:否 制造商:Omron Electronics 输出设备:Phototransistor 槽宽:3.4 mm 光圈宽度:0.5 mm 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V 最大集电极电流:20 mA 正向电流: 安装风格:Through Hole 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 封装: |
| RPI-131_05 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Photointerrupter, Small type |
| RPI131A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
| RPI131B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
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