| 型号： | RS1PDHE3/85A |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 483K |
| 描述： | DIODE FAST 1A 200V 150NS SMP |
| 标准包装： | 10,000 |
| 系列： | eSMP™ |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.3V @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 150ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 200V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-220AA |
| 供应商设备封装： | DO-220AA（SMP） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RBC12DCMH | CONN EDGECARD 24POS .100 WW |
| ACM30DTMT-S189 | CONN EDGECARD 60POS R/A .156 SLD |
| ECC09DJWB | CONN EDGECARD 18PS .100 PRESSFIT |
| AYM31DRST-S288 | CONN EDGECARD 62POS .156 EXTEND |
| HMM43DRKI-S13 | CONN EDGECARD 86POS .156 EXTEND |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RS1PDHM3/84A | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 200volt 1.0amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| RS1PDHM3/85A | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 200volt 1.0amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| RS1PD-M3/84A | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 200volt 1.0amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| RS1PD-M3/85A | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 200volt 1.0amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| RS1PG | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High Current Density Surface Mount Glass Passivated Fast Switching Rectifier |