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参数资料
| 型号： | RSB6.8GT2R |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ZENER ESD PROT 10W VMD2 |
| 产品目录绘图： | RSB6.8G Series Top RSB6.8G Series Circuit |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 3.5V |
| 电压 - 击穿： | 5.78V |
| 功率（瓦特）： | 10W |
| 电极标记： | 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 2-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | VMD2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2366 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RSB6.8GT2RDKR |
RSB6.8G
Diodes
ESD Protection diode
RSB6.8G
Application
External dimensions (Unit : mm)
Land size figure (Unit : mm)
ESD Protection, bi direction
Features
1) Ultra small mold type. (VMD2)
2) High reliability.
3) Bi chip-mounter, automatic mounting
is possible.
Structure
Construction
Silicon epitaxial planar
dot (year week factory)
Taping specifications
Absolute maximum ratings (Ta=25 C)
Parameter
Peak pulse power-1(tp=10×1000 μ S)
Power dissipation (*1
Junction temperature
Storage temperature
Operating temperature
Symbol
Ppk
P
Tj
Tstg
Topr
Limits
10
100
150
-55 to +150
-55 to +150
Unit
W
m W
Electrical characteristics (Ta=25 C, Rating of per diode)
Parameter
Symbol Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Zener voltage
R everse current
C apacitance between terminals
V Z
I R
Ct
5.78
-
-
-
-
15
7.82
0.50
-
V
μ A
pF
I Z =1mA
V R =3.5V
V R =0V , f=1MHz
Rev.A
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| RSB6B08S | 制造商:TE Connectivity 功能描述: |
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