参数资料
型号: RSB6.8STE61
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 2/3页
文件大小: 0K
描述: DIODE ZENR ESD PROT 10W SOD523
产品目录绘图: RSB6.8G Series Top
RSB6.8G Series Circuit
标准包装: 1
电压 - 反向隔离(标准值): 3.5V
电压 - 击穿: 5.78V
功率(瓦特): 10W
电极标记: 双向
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-79,SOD-523
供应商设备封装: EMD2
包装: 标准包装
产品目录页面: 2366 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: RSB6.8STE61DKR
RSB6.8S
Data Sheet
1
0.1
10000
1000
100
10
Ta=150℃ Ta=125 ℃
Ta=75
Ta=125 ℃
100
f=1MHz
0.01
0.001
Ta=150 ℃
Ta=125 ℃
Ta=75 ℃
Ta=25 ℃
Ta=-25 ℃
1
0.1
0.01
0.001
Ta=25℃
Ta=-25 ℃
10
0.0001
0.0001
0.00001
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
7
ZENER VOLTAGE:Vz(mV)
Vz-Iz CHARACTERISTICS
10
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-IR CHARACTERISTICS
50
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
6.9
Ta=25℃
Iz=1mA
n=30pcs
9
8
Ta=25 ℃
VR=10V
n=30pcs
45
40
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
7
35
n=10pcs
6.8
6.7
6
5
4
3
30
25
20
15
6.6
AVE:6.696V
2
1
AVE:1.0482nA
10
5
AVE:29.89pF
6.5
1000
100
10
Vz DISRESION MAP
Rth(j-a)
Rth(j-c)
Mounted on epoxy board
IM=10mA
IF=100mA
time
1ms
300us
0
IR DISRESION MAP
0
Ct DISRESION MAP
0.001
0.01
0.1
1 10 100
1000
TIME:t(ms)
Rth-t CHARACTERISTICS
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2011.03 - Rev.C
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PDF描述
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