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参数资料
| 型号： | RSX501LA-20TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 428K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 20V 5A PMDT |
| 产品培训模块： | Diodes Overview |
| 产品目录绘图： | Diode PMDT |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 20V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 5A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 390mV @ 3A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500µA @ 20V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PMDT |
| 供应商设备封装： | PMDT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1647 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RSX501LA-20DKR |
          Data Sheet www.rohm.com ? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/4 2011.11 - Rev.A Schottky Barrier Diode RSX201VA-30 ?Applications ?Dimensions (Unit : mm) ?Land size figure (Unit : mm) General rectification ?Features 1)Small mold type (TUMD2) 2)Low VF& Low IR 3)High reliability ?Construction ?Structure Silicon epitaxial planer ?Absolute maximum ratings (Ta=25 °C) Symbol Unit VRM V VR V Io A Io A IFSM A Tj °C Tstg °C ?Electrical characteristics (Ta=25 °C) Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions VF1 - 0.36 0.42 V IF=1A VF2 - 0.40 0.46 V IF=1.5A IR1 - 15 60 μA VR=5V IR2 - 70 300 μA VR=30V Parameter Forward voltage Reverse current Junction temperature 125 Storage temperature - 40 to +125 Average rectified forward current (On the Almina substrate) 1.5 Average rectified forward current (On the Glass epoxy substrate) 1.0 Forward current surge peak （60Hz?1cyc） 8 Reverse voltage (DC) 30 ?Taping dimensions (Unit : mm) Parameter Limits Reverse voltage (repetitive) 30 1.1 2.0 0.8 0. TUMD2 ROHM : TUMD2 1.3±0.05 0.8±0.05 2.5±0.2 1.9±0.1 0.6±0.2 0.1 0.17±0.1 0.05 dot (year week factory) 4.0±0.1 2.0±0.05 φ1.5±0.1 0 1.43±0.05 4.0±0.1 φ1.0±0.2 0 2.75 3.5 ± 0.05 1.75 ± 0.1 8.0 ± 0.2 0.25±0.05 0.9±0.08 2.8 ± 0.05 |
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PDF描述 |
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