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参数资料
| 型号： | RTF025N03TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3 |
| 产品目录绘图： | TUMT-3 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 67 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 270pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | TUMT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RTF025N03TLDKR |
RTF025N03
Transistors
2.5V Drive Nch MOSFET
RTF025N03
Structure
Silicon N-channel MOSFET
Dimensions (Unit : mm)
TUMT3
Features
1) Low On-resistance.
2) Space saving , small surface mount package (TUMT3).
3) Low voltage drive (2.5V drive).
(1) Gate
Applications
Switching
Packaging specifications
Package
Taping
(2) Source
(3) Drain
Inner circuit
Abbreviated symbol : PL
(3)
Type
Code
Basic ordering unit (pieces)
TL
3000
RTF025N03
(1)
? 1
? 2
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
(2)
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
(1) Gate
(2) Source
(3) Drain
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
30
12
Unit
V
V
Drain current
Source current
(Body diode)
Total power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP ? 1
I S
I SP ? 1
P D ? 2
Tch
Tstg
± 2.5
± 10
0.6
10
0.8
150
? 55 to + 150
A
A
A
A
W
° C
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 Mounted on a ceramic board
Thermal resistance
Rev.A
1/2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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