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参数资料
| 型号： | RURD420S9A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 101K |
| 描述： | DIODE 200V 4A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 4A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 4A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 200V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
RURD420S Rev. C
IR
VR
= 200V - - 100
μA
VR
= 200V, T
C
= 150
oC - - 500
μA
trr
IF
= 1A, dI
F/dt = 100A/μs--30ns
IF
= 4A, dI
F/dt = 100A/μs--35ns
ta
IF
= 4A, dI
F/dt = 100A/μs-11-ns
tb
IF
= 4A, dI
F/dt = 100A/μs-9-ns
QRR
IF
= 4A, dI
F/dt = 100A/μs-12-nC
CJ
VR
= 10V, I
F
= 0A - 15 - pF
RθJC
--5oC/W
DEFINITIONS
VF
= Instantaneous forward voltage (pw = 300
μs, D = 2%).
IR
= Instantaneous reverse current.
trr
= Reverse recovery time (See Figure 8), summation of t
a
+ t
b.
ta
= Time to reach peak reverse current (See Figure 8).
tb
= Time from peak I
RM
to projected zero crossing of I
RM
based on a straight line from peak I
RM
through 25% of I
RM
(See Figure 8).
QRR
= Reverse recovery charge.
CJ = Junction capacitance.
RθJC
= Thermal resistance junction to case.
pw = pulse width.
D = duty cycle.
Electrical Specifications
TC
= 25
oC, Unless Otherwise Specified
SYMBOL TEST CONDITION MIN TYP MAX UNITS
Typical Performance Curves
FIGURE 1. FORWARD CURRENT vs FORWARD VOLTAGE FIGURE 2. REVERSE CURRENT vs REVERSE VOLTAGE
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
I
F
,
FORWARD CURRENT (A)
1
20
0.5
10
0 0.25 0.5 0.75 1 1.25 1.5
100oC
175oC
25oC
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
020050 150100
100
0.01
0.1
1
10
25oC
100oC
175oC
0.001
I
R
,
REVERSE CURRENT (
μ
A)
RURD420S
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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