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参数资料
| 型号： | RURD620CCS9A_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 2287K |
| 描述： | DIODE UFAST DUAL 6A 200V DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 6A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 6A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 反向恢复时间(trr)： | 30ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Electrical Speci?cations
(Per Leg) TC
= 25
oC, Unless Otherwise Speci?ed
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN
TYP
MAX
UNIT
VF
-
-
1.0
V
-
-
0.83
V
IR
-
-
100
μA
-
-
500
μA
trr
s--25ns
s--30ns
ta
-
13
-
ns
tb
-
6.5
-
ns
Qrr
-
20
-
nC
CJ
IF
= 6
A
IF
= 6
A, TC
= 150oC
VR
= 200
V
VR
= 200
V, TC
= 150oC
IF
= 1
A, dIF/dt = 200
A/μ
IF
= 6
A, dIF/dt = 200
A/μ
IF
= 6
A, dIF/dt = 200
A/μs
IF
= 6
A, dIF/dt = 200
A/μs
IF
= 6
A, dIF/dt = 200
A/μs
VR
= 10
V, IF
= 0
A
-
30
-
pF
RθJC
-
-
3.5
oC/W
DEFINITIONS
VF
= Instantaneous forward voltage (pw = 300
μs, D = 2%).
IR
= Instantaneous reverse current.
Trr
= Reverse recovery time (See Figure 9), summation of ta
+ tb.
ta
= Time to reach peak reverse current (See Figure 9).
tb
= Time from peak IRM
to projected zero crossing of IRM
based on a straight line from peak IRM
through 25% of IRM
(See Figure 9).
Qrr
= Reverse recovery charge.
CJ
= Junction Capacitance.
RθJC
= Thermal resistance junction to case.
pw = Pulse width.
D = Duty cycle.
Typical Performance Curves
FIGURE 1. FORWARD CURRENT vs FORWARD VOLTAGE
FIGURE 2.
REVERSE CURRENT vs REVERSE VOLTAGE
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
I
F
, FORWARD CURRENT (A)
1
30
0.5
0
10
0.25 0.5 0.75 1 1.25 1.5
25oC
100oC
175oC
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
0.001
0
200
50
150
100
100
0.01
0.1
1
10
I
R
, REVERSE CURRENT (
μ
A)
25oC
100oC
175oC
RURD620CCS9A
www.fairchildsemi.com
2
?2001
Fairchild
S
emiconductor Corporation
RHRD620CC9SA
Rev.
C
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PDF描述 |
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