参数资料
型号: RURG80100
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 2/5页
文件大小: 662K
描述: DIODE ULTRAFAST 1000V 80A TO-247
产品变化通告: Lead Frame Change 20/Dec/2007
标准包装: 150
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 1000V(1kV)
电流 - 平均整流 (Io): 80A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.9V @ 80A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 200ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 250µA @ 1000V
安装类型: 通孔,径向
封装/外壳: TO-247-2
供应商设备封装: TO-247
包装: 管件
产品目录页面: 1611 (CN2011-ZH PDF)
Electrical Speci?cations
TC
= 25
oC, Unless Otherwise Speci?ed
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN
TYP
MAX
UNIT
VF
-
-
1.9
V
-
-
1.7
V
IR
-
-
250
μA
C--2mA
trr
--125ns
--200ns
taIF
= 80
A, dIF/dt = 100
A/μs
-90-ns
tbIF
= 80
A, dIF/dt = 100
A/μs
IF
= 80
A
IF= 80C= 150oC
A, T
VR
= 1000
V
VR
= 1000
V, TC
= 150o
IF
= 1
A, dIF/dt = 100
A/μs
IF
= 80
A, dIF/dt = 100
A/μs
-
65
-
ns
RθJC
-
-
0.83
oC/W
DEFINITIONS
VF
= Instantaneous forward voltage (pw = 300
μs, D = 2%).
IR
= Instantaneous reverse current.
Trr
= Reverse recovery time (See Figure 6), summation of ta
+ tb.
ta
= Time to reach peak reverse current (See Figure 6).
tb
= Time from peak IRM
to projected zero crossing of IRM
based on a straight line from peak IRM
through 25% of IRM
(See Figure 6).
RθJC
= Thermal resistance junction to case.
pw = Pulse width.
D = Duty cycle.
Typical Performance Curves
FIGURE 1. FORWARD CURRENT vs FORWARD VOLTAGE
FIGURE 2. REVERSE CURRENT vs REVERSE VOLTAGE
100oC
25oC
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
1
0
10
100
400
I
F
, FORWARD CURRENT (A)
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
175oC
175oC
100oC
25oC
1000
100
10
1
0.1
0.01
0 200 400 600 800 1000
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
I
R
, REVERSE CURRENT (
μ
A)
RURG80100
?2001
Fairchild Semiconductor Corporation
RURG80100 Rev. C1
www.fairchildsemi.com
2
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PDF描述
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