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SIR67-21C/B

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  • SIR67-21C/B/TR8
    SIR67-21C/B/TR8

    SIR67-21C/B/TR8

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：朱先生/李小姐

    电话：0755-2394163213723794312（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • EVERLIGHT

  • 原厂封装

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SIR67-21C/B 技术参数
  • SIR-56ST3FF 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.3V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外（IR） 电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:5.6mW/sr @ 50mA 波长:950nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:T 1 3/4 标准包装:1,000 SIR-568ST3F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.6V 100mA 18mW/sr @ 50mA 26° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外（IR） 电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:18mW/sr @ 50mA 波长:850nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.6V 视角:26° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:T 1 3/4 标准包装:1,000 SIR-563ST3FM 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.34V 100mA 9mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外（IR） 电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:9mW/sr @ 50mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.34V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:T 1 3/4 标准包装:1,000 SIR-505STA47F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.38V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外（IR） 电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:5.6mW/sr @ 50mA 波长:950nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.38V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:T 1 3/4 标准包装:2,000 SIR383C 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 100mA 11mW/sr @ 20mA 20° Radial 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外线 电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:11mW/sr @ 20mA 波长:875nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:径向 标准包装:500 SIR774DP-T1-GE3 SIR788DP-T1-GE3 SIR798DP-T1-GE3 SIR800DP-T1-GE3 SIR800DP-T1-RE3 SIR802DP-T1-GE3 SIR804DP-T1-GE3 SIR808DP-T1-GE3 SIR812DP-T1-GE3 SIR814DP-T1-GE3 SIR818DP-T1-GE3 SIR820DP-T1-GE3 SIR826ADP-T1-GE3 SIR826DP-T1-GE3 SIR826DP-T1-RE3 SIR836DP-T1-GE3 SIR838DP-T1-GE3 SIR840DP-T1-GE3
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