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STB24NM60DM2

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

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STB24NM60DM2 技术参数
  • STB24N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 16A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):230 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1060pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB24N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):190 毫欧 @ 9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1060pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB24N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh? II Plus 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):200 毫欧 @ 9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1055pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB23NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):19.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):180 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):70nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2050pF @ 50V 功率 - 最大值:150W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB23NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):19A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):180 毫欧 @ 9.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2050pF @ 50V 功率 - 最大值:150W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB25NM60ND STB26N60M2 STB26NM60N STB26NM60ND STB270N4F3 STB27NM60ND STB28N60DM2 STB28N60M2 STB28N65M2 STB28NM50N STB28NM60ND STB2N62K3 STB300NH02L STB30100CTR STB30100TR STB30150CTR STB30200CTR STB3060CTR
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